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Si2392ADS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- 型号Si2392ADS-T1-GE3 的N沟道MOS管采用节省空间的SOT-23封装，专为现代高密度电子设计优化。该器件具备卓越电气性能，最大工作电压VDSS高达100V，连续电流ID可承载5A，适合高电压大电流应用。其导通电阻RD(on)为110mR，即使在大电流传输时也能保持较低的功率损耗。广泛应用于电源转换、电机控制、开关电源等领域，是工程师设计高效能、低损耗电路的理想半导体元件。
- 商品型号
- Si2392ADS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366485
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3480采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 5.8 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 28 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 34 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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