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ZXMN10A07F-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高效能电子系统。其参数为：最大电流3A，耐压100V，内阻典型值210mR，栅源极电压VGS为20V。它具有极低的导通损耗和快速开关特性，非常适合用于电源管理、信号放大及开关控制等应用，提升系统稳定性和效率。
- 商品型号
- ZXMN10A07F-HXY
- 商品编号
- C22366488
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
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