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ZXMN10A07F-HXY实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

ZXMN10A07F-HXY

1个N沟道 耐压:100V 电流:3A

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描述
这款N型场效应管，适用于高效能电子系统。其参数为：最大电流3A，耐压100V，内阻典型值210mR，栅源极电压VGS为20V。它具有极低的导通损耗和快速开关特性，非常适合用于电源管理、信号放大及开关控制等应用，提升系统稳定性和效率。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
ZXMN10A07F-HXY
商品编号
C22366488
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))248mΩ@10V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13.6nC@10V
输入电容(Ciss)711pF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)41pF

数据手册PDF

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