温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXMN10A07F-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N型场效应管，适用于高效能电子系统。其参数为：最大电流3A，耐压100V，内阻典型值210mR，栅源极电压VGS为20V。它具有极低的导通损耗和快速开关特性，非常适合用于电源管理、信号放大及开关控制等应用，提升系统稳定性和效率。
- 商品型号
- ZXMN10A07F-HXY
- 商品编号
- C22366488
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 248mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 711pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
SSM3J14T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V，ID = - 4.1A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 55 mΩ
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理
相似推荐
其他推荐
- Si2324DS-HXY
- DMN6040SSD-HXY
- DMNH6042SSDQ-HXY
- SI4946BEY-T1-E3-HXY
- SQ4946AEY-T1_GE3-HXY
- STN4828-HXY
- ZXMN6A25DN8TA-HXY
- IRF7341PBF-HXY
- DMN6066SSD-HXY
- SQ9945BEY-T1_GE3-HXY
- STS4DNF60L-HXY
- DMN6070SSD-HXY
- FDS9945-HXY
- IRF7103PBF-HXY
- ZXMN6A11DN8-HXY
- DMN3016LSS-HXY
- FDS6298-HXY
- FDS6670AS-HXY
- FDS6680A-HXY
- FDS8880-HXY
- IRF7413ZPBF-HXY