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SSM3J358R-HXY实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SSM3J358R-HXY

1个P沟道 耐压:20V 电流:7A

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描述
这款场效应管具备7A的电流承载能力和20V的电压耐受性，内阻典型值为20mΩ，适用于高效能应用。其P型设计确保了在12V的栅源电压下能够实现最佳动态性能。适合用于电源管理、信号放大及开关电路等，确保系统稳定运行。选择此款元器件，可提升电路效率与可靠性。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SSM3J358R-HXY
商品编号
C22366483
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.043克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))26mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

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