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SSM3J358R-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 这款场效应管具备7A的电流承载能力和20V的电压耐受性，内阻典型值为20mΩ，适用于高效能应用。其P型设计确保了在12V的栅源电压下能够实现最佳动态性能。适合用于电源管理、信号放大及开关电路等，确保系统稳定运行。选择此款元器件，可提升电路效率与可靠性。
- 商品型号
- SSM3J358R-HXY
- 商品编号
- C22366483
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
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