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IRF7105TRPBF-HXY
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 型号IRF7105TRPBF 的N+P沟道MOS管，采用SOP-8封装，具有出色的稳定性和兼容性。这款器件具有优越的电气性能，能在高达30V的VDSS电压下稳定工作，并承载6A的连续电流，满足大电流应用需求。其亮点在于极低的导通电阻RD(on)——仅16mR，有效地降低了系统能耗，提升了能源利用效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是专业工程师优化设计、实现高效节能方案的理想MOS管产品。
- 商品型号
- IRF7105TRPBF-HXY
- 商品编号
- C22366480
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |