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SSM3J334R-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于多种应用场景。其关键参数包括：电流能力高达4.1A，承受电压可达30V，内阻典型值为42mR，栅源极电压VGS为20V。该元器件具有优异的性能和稳定性，可确保在各种工作环境下提供可靠的性能表现，适合用于电源管理、信号放大等多种电子设备中。
- 商品型号
- SSM3J334R-HXY
- 商品编号
- C22366481
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
RZR040P01采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 20V，ID = - 7A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 26mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET
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