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FDS9926A-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 型号FDS9926A 的MOS管，采用紧凑高效的SOP-8封装技术，专为现代精密电子设计量身打造。作为一款优质的N+N沟道MOS管，它拥有出色的电气性能指标，包括最大电压VDSS为20V，连续电流ID高达6A，保证了在高负载条件下的稳定工作表现。同时，其卓越的导通电阻RD(on)仅21mΩ，有助于减少能量损失，提升能源效率。这款MOS管广泛应用在电源管理、开关调节以及各类高要求电子电路中，是工程师追求性能与节能方案的理想选择。
- 商品型号
- FDS9926A-HXY
- 商品编号
- C22366475
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |