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ZXMN3B14F-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 这款N型场效应管拥有5.8A的电流承载能力，能在30V的电压下稳定工作。其内阻典型值为21mΩ，确保了较低的功耗。VGS为12V，使得该器件在适当的栅源电压下导通。适用于电源管理、负载开关等应用，提供高效稳定的电流控制，是电子系统中的理想选择。
- 商品型号
- ZXMN3B14F-HXY
- 商品编号
- C22366479
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
TPC8040-H采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 18 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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