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IRF7311PBF-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- IRF7311PbF 是一款N+N沟道MOS管，采用小型化的SOP-8封装设计，特别适用于紧凑型电子系统。该器件能在20V的最大漏源电压(VDSS)条件下工作，提供6A的连续电流，且拥有21mR的导通电阻(RD(on))，在确保低功耗的同时提供高效的电流传输性能，适用于电源转换、负载开关和多种中等电流应用领域。
- 商品型号
- IRF7311PBF-HXY
- 商品编号
- C22366472
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |