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IRF7311PBF-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- IRF7311PbF 是一款N+N沟道MOS管，采用小型化的SOP-8封装设计，特别适用于紧凑型电子系统。该器件能在20V的最大漏源电压(VDSS)条件下工作，提供6A的连续电流，且拥有21mR的导通电阻(RD(on))，在确保低功耗的同时提供高效的电流传输性能，适用于电源转换、负载开关和多种中等电流应用领域。
- 商品型号
- IRF7311PBF-HXY
- 商品编号
- C22366472
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ZXMN2A04DN8采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 6A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 25 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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