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ZXMN2A04DN8-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- 这款N+N型场效应管，具有6A的电流承载能力和20V的电压耐受性。其内阻典型值为21mΩ，确保了高效的电流控制。VGS为12V，适用于多种应用需求。该元器件设计精良，性能可靠，适合用于电源管理、信号放大及开关电路等，为您的电子设备提供稳定的性能保障。
- 商品型号
- ZXMN2A04DN8-HXY
- 商品编号
- C22366474
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |