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ZXMN10A25KTC-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMN10A25KTC-HXY

1个N沟道 耐压:100V 电流:15A

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描述
ZXMN10A25KTC 的N沟道MOS管,选用TO-252-2L封装,以其强固性和散热性能著称。该器件具有卓越的电气参数,最大工作电压VDSS高达100V,连续输出电流ID可稳达15A,从容应对高压大电流应用场景。此外,导通电阻RD(on)低至100mR,有效减小功率损耗,提升系统效能。
商品型号
ZXMN10A25KTC-HXY
商品编号
C22366477
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))112mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)26.2nC@10V
输入电容(Ciss)1.535nF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)60pF

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
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