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DMN10H170SK3-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 这款N型场效应管拥有15A的电流承载能力，最大100V的电压耐受，以及典型的100mR内阻。其VGS（栅源极电压）为20V，适用于多种高性能应用。该元器件具备出色的稳定性和耐用性，能在各种环境条件下保持优异表现，是电子系统中的理想选择，助力实现高效能。
- 商品型号
- DMN10H170SK3-HXY
- 商品编号
- C22366476
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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