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DMN10H170SK3-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 这款N型场效应管拥有15A的电流承载能力，最大100V的电压耐受，以及典型的100mR内阻。其VGS（栅源极电压）为20V，适用于多种高性能应用。该元器件具备出色的稳定性和耐用性，能在各种环境条件下保持优异表现，是电子系统中的理想选择，助力实现高效能。
- 商品型号
- DMN10H170SK3-HXY
- 商品编号
- C22366476
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25.9pF |
商品概述
DMN10H170SK3采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 15 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 112 mΩ
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流转换器
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