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SI4168DY-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- SI4168DY-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用紧凑型SOP-8封装，专为高密度电子设计打造。该器件支持30V的最大漏源电压（VDSS），可处理高达18A的连续电流，展现了卓越的电流承载能力。其独特亮点是拥有低至5.5mR的导通电阻（RD(on)），助力系统提升能效，降低功耗，广泛适用于电源转换、电机驱动和其他需高效能、低阻抗半导体组件的领域。
- 商品型号
- SI4168DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366467
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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