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DMG9926USD-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- 这款N+N型场效应管，具备6A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及21mΩ的典型内阻。其VGS为12V，适用于多种应用场景。该元器件具有优异的性能和稳定性，能在各种环境条件下正常工作，是您电子产品设计的理想选择，助力提升产品性能和可靠性。
- 商品型号
- DMG9926USD-HXY
- 商品编号
- C22366471
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |