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DMG9926USD-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 这款N+N型场效应管，具备6A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及21mΩ的典型内阻。其VGS为12V，适用于多种应用场景。该元器件具有优异的性能和稳定性，能在各种环境条件下正常工作，是您电子产品设计的理想选择，助力提升产品性能和可靠性。
- 商品型号
- DMG9926USD-HXY
- 商品编号
- C22366471
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SI4168DY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 18 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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