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IRF8113PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
- 描述
- IRF8113PbF 是一款N沟道MOSFET，采用了节省空间的SOP-8封装，特别适应现代电子产品的集成化需求。该器件可在30V的最大漏源电压下稳定运行，提供高达18A的连续电流承载能力，表现出强劲的电力控制性能。此外，其优异的导通电阻仅5.5mR，显著提高了系统能效，降低了功耗，是电源转换、电机驱动等高电流应用领域的可靠选择。
- 商品型号
- IRF8113PBF-HXY
- 商品编号
- C22366466
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |