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IRF8113PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- IRF8113PbF 是一款N沟道MOSFET，采用了节省空间的SOP-8封装，特别适应现代电子产品的集成化需求。该器件可在30V的最大漏源电压下稳定运行，提供高达18A的连续电流承载能力，表现出强劲的电力控制性能。此外，其优异的导通电阻仅5.5mR，显著提高了系统能效，降低了功耗，是电源转换、电机驱动等高电流应用领域的可靠选择。
- 商品型号
- IRF8113PBF-HXY
- 商品编号
- C22366466
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
IRF7805ZPBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 18 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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