温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPC8040-H-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- TPC8040-H 是一款高性能N沟道MOS管，采用节省空间的SOP-8封装，适用于各类高效能电子设计。此器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定工作，能承载高达18A的连续电流，展现强大的驱动能力。其核心亮点是导通电阻RD(on)仅为5.5mR，显著提高了系统能效，降低了功耗，是电源转换、电机控制、以及其他高电流应用场合的理想选择。
- 商品型号
- TPC8040-H-HXY
- 商品编号
- C22366470
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
DMN10H170SK3采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 15 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 112 mΩ
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流转换器
相似推荐
其他推荐