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FDS8817NZ-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- FDS8817NZ 是一款高品质N沟道MOS管，封装在小巧的SOP-8形式中，特别适合于空间有限的电路板设计。该器件具有出色的电气性能，支持最大30V的工作电压和高达18A的连续电流处理能力，确保了强大而稳定的电力传输。其超低的导通电阻仅为5.5mR，极大地提升了能源效率并减少了发热损耗，是您电源管理、电机驱动等高要求应用场景的理想之选。
- 商品型号
- FDS8817NZ-HXY
- 商品编号
- C22366458
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
FDS8896采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 18 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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