温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS8817NZ-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- FDS8817NZ 是一款高品质N沟道MOS管，封装在小巧的SOP-8形式中，特别适合于空间有限的电路板设计。该器件具有出色的电气性能，支持最大30V的工作电压和高达18A的连续电流处理能力，确保了强大而稳定的电力传输。其超低的导通电阻仅为5.5mR，极大地提升了能源效率并减少了发热损耗，是您电源管理、电机驱动等高要求应用场景的理想之选。
- 商品型号
- FDS8817NZ-HXY
- 商品编号
- C22366458
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
FDS8817NZ采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 18A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐