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FDS6670A-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- FDS6670A 是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOP-8封装形式，专为高效率、大电流应用设计。该器件拥有30V的最大漏源电压VDSS，可承载高达18A的连续漏极电流ID，确保在高功率系统中保持稳定性能。其独特之处在于其超低导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ，有效降低功率损耗，提升整体能效。FDS6670A MOS管适用于电源转换、电机驱动及其它高电流场合，以卓越的电气性能为您的设计带来更高水准的可靠性与效率。
- 商品型号
- FDS6670A-HXY
- 商品编号
- C22366456
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.119626克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
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