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IRF7455PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- IRF7455PbF MOS管采用先进的N沟道技术与紧凑型SOP-8封装，专为高效率电源转换和电机驱动设计。此款器件具备强大的电性参数，额定电压VDSS为30V，连续电流ID高达18A，展现出卓越的负载承载能力。尤其值得一提的是，其超低的导通电阻仅5.5mR，大大提升了系统工作效率并降低了能耗，是高功率应用场合的理想组件选择。
- 商品型号
- IRF7455PBF-HXY
- 商品编号
- C22366459
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
IRF7455PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 18 A
- 在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 6.5 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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