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FDS6676AS-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- FDS6676AS 是一款高性能N沟道MOSFET，采用节省空间的SOP-8封装，适配各种精密电子设备。其核心特性包括30V的最大漏源电压VDSS，能够承载高达18A的连续直流电流，展现出强大的驱动能力。更值得一提的是，此款器件的导通电阻极低，仅为5.5mR，这将显著提高系统效率，降低功耗，并广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是高能效解决方案的理想选择。
- 商品型号
- FDS6676AS-HXY
- 商品编号
- C22366462
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
FDS6676AS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 18 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源