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SI4386DY-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- SI4386DY-T1-E3 是一款高效能N沟道MOS管，采用节省空间的SOP-8封装，专为优化电路布局设计。该器件能在30V的最大稳态电压下稳定工作，峰值电流可达18A，展现卓越的电流处理能力。同时，其优秀的导通电阻仅有5.5mR，显著提升了电源转换效率，减少能量损失，并适用于各类高端电源管理、马达驱动以及其他高电流、低阻抗的应用场景。
- 商品型号
- SI4386DY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366461
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |