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SI4386DY-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- SI4386DY-T1-E3 是一款高效能N沟道MOS管，采用节省空间的SOP-8封装，专为优化电路布局设计。该器件能在30V的最大稳态电压下稳定工作，峰值电流可达18A，展现卓越的电流处理能力。同时，其优秀的导通电阻仅有5.5mR，显著提升了电源转换效率，减少能量损失，并适用于各类高端电源管理、马达驱动以及其他高电流、低阻抗的应用场景。
- 商品型号
- SI4386DY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366461
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
SI4386DY-T1-E3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 18 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源