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FDS8690-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- FDS8690 N沟道MOS管采用紧凑型SOP-8封装设计，适用于对空间利用率有较高要求的电路项目。该器件具备优越的电气性能，最高工作电压VDSS为30V，连续输出电流可达18A，确保稳定可靠的电力传输。尤其值得关注的是其低至5.5mR的导通电阻，有效提升整体系统效率，降低功耗，成为高电流应用如电源转换、电机驱动等领域的优质之选。
- 商品型号
- FDS8690-HXY
- 商品编号
- C22366463
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
FDS8690采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 18 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 6.5 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 12 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源