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IRF7805ZPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- IRF7805ZPbF MOS管是一款高性能N沟道器件，采用小型化SOP-8封装，适应现代电子产品的小型紧凑需求。其核心优势在于拥有高达30V的击穿电压VDSS，可承受18A连续大电流，充分满足高功率应用需求。尤为突出的是，器件的导通电阻RD(on)仅为5.5mR，有助于实现更低功耗和更高能效比，是电源转换、电机驱动及其它高要求电子系统的理想元件选择。
- 商品型号
- IRF7805ZPBF-HXY
- 商品编号
- C22366460
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
FDS8817NZ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 18A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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