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SM2301SRL-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- SM2301SRL 是一款采用SOT-23封装的P沟道MOS管，专为紧凑型电子设备和低电压应用设计。器件提供20V的最大漏源电压VDSS，具备3A的连续漏极电流ID能力，确保在低压环境下稳定运行。其导通电阻RD(on)为60mΩ，有助于减少能源损耗，增强系统效能。SM2301SRL MOS管适用于电池供电设备、电源管理、负载开关等应用场合，以优异的性能和小巧的体积满足各类便携式和嵌入式设计需求。
- 商品型号
- SM2301SRL-HXY
- 商品编号
- C22366450
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027727克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
PMV30XPEA采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 40mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 60mΩ
- ESD保护
应用领域
- PWM应用
- 负载开关