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AO3493-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- AO3493 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为低电压、低功耗应用设计。该器件具有20V的最大漏源电压VDSS，可持续提供3A的漏极电流ID，保证在低压系统中稳定工作。其导通电阻RD(on)为60mΩ，有效降低功率损耗，提高能源利用效率。AO3493 MOS管广泛应用于电池管理、电源开关、负载驱动等场景，凭借其出色的电气性能和小型封装，成为现代便携式和嵌入式电子设备的理想选择。
- 商品型号
- AO3493-HXY
- 商品编号
- C22366454
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027727克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
Si2323DS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -5A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 40mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
- ESD保护
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT - 23封装
- P沟道MOSFET