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FDS6682-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDS6682-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:18A

描述
这款MOS管型号为FDS6682 ,采用紧凑型SOP-8封装设计,适用于各类高效能电子设备。作为一款高性能N沟道器件,它能在30V的最大耐压下稳定工作,提供高达18A的连续电流。其卓越的导通电阻仅为5.5mΩ,有效降低功耗、提升效率,是您高功率应用和电路开关控制的理想选择。
商品型号
FDS6682-HXY
商品编号
C22366457
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.118克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.317nF
反向传输电容(Crss)131pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)163pF

数据手册PDF