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FDS6682-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 这款MOS管型号为FDS6682 ，采用紧凑型SOP-8封装设计，适用于各类高效能电子设备。作为一款高性能N沟道器件，它能在30V的最大耐压下稳定工作，提供高达18A的连续电流。其卓越的导通电阻仅为5.5mΩ，有效降低功耗、提升效率，是您高功率应用和电路开关控制的理想选择。
- 商品型号
- FDS6682-HXY
- 商品编号
- C22366457
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
KMA3D7P20SA采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -3A
- 栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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