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ST2305-HXY
耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- ST2305 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适用于低电压、低功耗应用场合。器件提供20V的最大漏源电压VDSS，支持高达3A的连续漏极电流ID，确保在低压系统中稳定可靠运行。其导通电阻RD(on)低至60mΩ，有助于减少功率损耗，提升系统能效比。ST2305 MOS管是电池供电设备、电源开关控制、负载驱动等领域的理想选择，以出色的性能和小型化封装服务于各类电子设计项目。
- 商品型号
- ST2305-HXY
- 商品编号
- C22366453
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027727克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
DMP1045U采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -5A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 40mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
- ESD
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT-23
- P沟道MOSFET