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DMP2170U-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于多种应用场景。其最大承受电流为3A，额定电压高达20V，内阻典型值为60mR，确保了高效的电流承载能力。VGS为12V，使得产品在特定电压下表现优异。该元器件具备出色的性能和稳定性，可广泛应用于电源管理、信号放大等领域。
- 商品型号
- DMP2170U-HXY
- 商品编号
- C22366451
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027727克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDD6670A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 80 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 6.8 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源