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PMV65XP-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其最大承受电流为3A，额定电压高达20V，确保稳定运行。内阻典型值为60mΩ，降低功耗。VGS为12V，易于驱动。适用于电源管理、信号放大及开关电路等，提升系统性能与可靠性。选择它，迈向纯净美好生活。
- 商品型号
- PMV65XP-HXY
- 商品编号
- C22366449
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Si2323DDS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 40mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 60mΩ
- ESD保护
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT-23封装
- P沟道MOSFET