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NTD4860N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有80A的电流承载能力和30V的电压耐受性，内阻典型值为5mΩ，适用于高电流、低内阻的应用场景。其VGS为20V，确保了良好的开关性能。该产品适用于电源管理、马达驱动以及高负载电子设备，能够提升系统的稳定性和效率。
- 商品型号
- NTD4860N-HXY
- 商品编号
- C22366447
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMP2160U采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -3A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源