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Si2333DS-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 这款P型场效应管拥有5A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及30mΩ的典型内阻。其VGS为12V，适用于多种电子设备中，能够有效控制电流的流通与切断，确保电路的稳定运行。因其出色的性能和稳定性，广泛应用于各类电子系统中。
- 商品型号
- Si2333DS-HXY
- 商品编号
- C22366442
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Si2333DS采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用,具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V,漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 40mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 60mΩ
- ESD等级:人体模型(HBM) 1500V
应用领域
- PWM应用
- 负载开关