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FDD8896-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- FDD8896 是一款高性能N沟道MOS管，采用经典的TO-252-2L封装形式，结构紧凑且易于安装。该器件拥有30V的最大漏源电压VDSS，以及高达80A的连续漏极电流ID，展现了其在高电流环境下的出色承载能力。其显著特点是拥有极低的导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ，确保在大电流切换时降低损耗，提升整体能效。FDD8896 MOS管适用于电源转换、电机驱动等高功率应用场合，以卓越性能满足各种电子产品的设计需求。
- 商品型号
- FDD8896-HXY
- 商品编号
- C22366443
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
PMV65XP采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -3A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源