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IRFR3709ZPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- IRFR3709ZPbF 是一款采用TO-252-2L封装的高性能N沟道MOS管，专为高效能、大电流应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压VDSS，能够承载高达80A的连续漏极电流ID，确保在高压、大电流环境下稳定工作。其突出优势在于导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ，有效降低功率损耗，提高能源利用率。IRFR3709ZPbF MOS管广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合，以其卓越的性能表现成为众多电子设计的理想之选。
- 商品型号
- IRFR3709ZPBF-HXY
- 商品编号
- C22366444
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
Si2305CDS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 80 A
- RDS(ON) < 6.8 mΩ(VGS = 10 V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源