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Si2329DS-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- Si2329DS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用经济高效的SOT-23封装，适合各类紧凑型电路设计。该器件亮点在于具备20V的最大工作电压VDSS，可稳定输出5A的漏极电流；并且拥有30mΩ的低导通电阻RD(on)，确保了更低的功率损耗和更高的系统效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护等相关领域，是您在设计高集成度和节能方案时的理想MOS管器件选择。
- 商品型号
- Si2329DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366441
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Si2323CDS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。它具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -5A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 40mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
- ESD
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT-23
- P沟道MOSFET