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NDT2955
1个P沟道 耐压:60V 电流:2.5A
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- 描述
- 此 60V P 沟道 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的高压沟槽工艺生产的。此产品非常适用于电源管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDT2955
- 商品编号
- C194179
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 601pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款60V P沟道MOSFET采用高压沟槽工艺制造，针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 2.5 A，-60 V。VGS = -10 V时，RDS(ON) = 300 mΩ
- VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 500 mΩ
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 采用广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和大电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器-电源管理