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IAUTN12S5N018TATMA1
适用于汽车应用的OptiMos功率MOSFET，N沟道增强模式，扩展认证，电气测试增强，设计坚固，符合RoHS标准，100%雪崩测试，反向恢复电荷低
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUTN12S5N018TATMA1
- 商品编号
- C20190991
- 商品封装
- HDSOP-16-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 309A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 358W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.74nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.08nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 适用于汽车应用的 OptiMOS 功率 MOSFET
- N 沟道 - 增强型 - 正常电平
- 超出 AEC-Q101 的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 防潮等级 1,最高 260°C 峰值回流温度
- 工作温度达 175°C
- 100% 雪崩测试
- 极低的反向恢复电荷 (Qrr)
应用领域
-通用汽车应用
- IGO60R042D1AUMA2
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- IMT65R107M1HXUMA1
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- IPD130N10NF2SATMA1
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