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IMYH200R012M1HXKSA1
IMYH200R012M1HXKSA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMYH200R012M1HXKSA1
- 商品编号
- C20191544
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 123A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 552W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 322pF |
商品特性
- 在Tvj = 25°C时,VDSS = 2000 V
- 在Tc = 25°C时,IDCC = 123 A
- 在VGS = 18 V、Tvj = 25°C时,RDS(on) = 12 mΩ
- 极低的开关损耗
- 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V
- 用于硬换向的坚固体二极管
- .XT互连技术,实现同类最佳热性能
应用领域
- 组串式逆变器
- 太阳能功率优化器
- 电动汽车充电
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