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IPDQ60R025CFD7XTMA1

IPDQ60R025CFD7XTMA1

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商品型号
IPDQ60R025CFD7XTMA1
商品编号
C20191584
商品封装
HDSOP-22-1​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
耗散功率(Pd)446W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)141nC@10V
输入电容(Ciss)5.626nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)111pF

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品,是专门针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、具备同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合,且在设计导入过程中不影响其易实现性。

商品特性

-超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

  • 适用于软开关拓扑
  • 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化 —— 服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF