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IPF010N06NF2SATMA1
IPF010N06NF2SATMA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPF010N06NF2SATMA1
- 商品编号
- C20191595
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 293A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 305nC | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- N沟道增强型
- 依据失效目录，外观检验的可接收质量水平（AQL）为0.65
- 依据MIL-STD 883C标准，属于静电放电敏感器件
- 芯片键合：焊接或胶粘
- 背面金属化：镍钒（NiV）体系
- 正面金属化：铝铜（AlCu）体系
- 钝化处理：氮化物（仅用于边缘结构）
- 功率MOS晶体管芯片
商品特性
- 针对广泛应用进行优化
- N沟道,正常电平
- 经过100%雪崩测试
- 无铅电镀;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
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