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IPF019N12NM6ATMA1
N沟道 120V 254A
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷（Qrr）。高雪崩能量额定值。175°C工作温度。针对高频开关进行优化。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。根据J-STD-020标准分类为MSL 1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPF019N12NM6ATMA1
- 商品编号
- C20191600
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 254A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@275uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.1nF |
商品特性
- 针对广泛应用进行优化
- N沟道，常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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