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IPQC60R017S7XTMA1实物图
  • IPQC60R017S7XTMA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPQC60R017S7XTMA1

IPQC60R017S7XTMA1

商品型号
IPQC60R017S7XTMA1
商品编号
C20191612
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@12V
耗散功率(Pd)500W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)196nC@12V
输入电容(Ciss)7.37nF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)116pF

商品概述

IPQC60R017S7为低频开关应用提供了最佳的性价比。CoolMOS S7作为高压超结MOSFET,拥有最低的导通电阻(RDS(on)),显著提高了能源效率。 CoolMOS S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化。它非常适合固态继电器和断路器设计,以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。

商品特性

  • CoolMOS S7技术可在最小的封装尺寸内实现17mΩ的导通电阻(RDS(on))
  • 低频开关应用中具备优化的性价比
  • 高脉冲电流能力
  • 开尔文源极引脚提高了大电流下的开关性能
  • QDPAK底部散热封装符合MSL1标准,完全无铅,适用于标准PCB组装流程,便于系统集成

应用领域

-固态继电器和断路器-高功率/高性能应用中的线路整流,如计算机、电信、不间断电源和太阳能

数据手册PDF