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IPW95R130PFD7XKSA1
950V CoolMOSTM PFD7超结功率器件
- 描述
- 最新的950V系列在超结（SJ）技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，使其能够在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW95R130PFD7XKSA1
- 商品编号
- C20191635
- 商品封装
- TO-247-3-41
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 141nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.17nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
- TO-Leadless封装提供了业内最低的导通电阻 RDS(on) 以及高电流承载能力。这使得在高功率应用中可减少并联MOSFET的数量，并提高功率密度。此外，与D²PAK 7引脚封装相比，可节省60%的电路板空间。
- 与D²PAK 7引脚封装相比，TO-Leadless封装的焊接触面积大50%，可降低电流密度，避免在高电流和高温下发生电迁移，从而提高可靠性。TO-Leadless是一种无引脚封装，由于其镀锡的沟槽式栅极和源极触点，可进行光学检测。
- TOLG封装融合了TO-Leadless和D²PAK 7引脚封装的最佳特性。它与TOLL封装具有相同的封装尺寸和出色的电气性能。TOLG封装的优势在于其鸥翼式引脚带来的灵活性，这种引脚在铝制绝缘金属基板（Aluminum-IMS）上具有更好的焊接可靠性。得益于这一特性，TOLG封装在电路板热循环（TCoB）性能方面比IPC - 9701标准要求高出两倍。
- TOLT封装与TOLL封装一样，具有高电流、薄型的优点，此外还具备顶部散热功能，可实现最佳热性能。像TOLL或D²PAK这样的底部散热封装，热量通过PCB散发到散热器，会导致较高的功率损耗。而TOLT封装采用顶部散热，漏极暴露在封装表面，可将热量直接散发到散热器，与TOLL封装相比，热阻RthJA改善20%，RthJC改善50%。为实现与底部散热封装相同的电流承载能力，使用TOLT封装可显著减小散热器尺寸，降低系统成本。
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