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IPW95R130PFD7XKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPW95R130PFD7XKSA1

950V CoolMOSTM PFD7超结功率器件

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描述
最新的950V系列在超结(SJ)技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合,满足照明和工业开关电源(SMPS)应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比,PFD7提供了一个集成的超快体二极管,使其能够在具有市场最低反向恢复电荷(Qrr)的谐振拓扑中使用。
商品型号
IPW95R130PFD7XKSA1
商品编号
C20191635
商品封装
TO-247-3-41​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)36.5A
导通电阻(RDS(on))130mΩ@10V
耗散功率(Pd)227W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)141nC@10V
输入电容(Ciss)4.17nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)53pF

商品概述

最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结(SJ)技术树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合,满足照明和工业开关电源(SMPS)应用的需求。与CoolMOS P7系列相比,PFD7集成了超快体二极管,可用于谐振拓扑,其反向恢复电荷(Qrr)在市场上处于最低水平。

商品特性

  • 集成超快体二极管
  • 一流的反向恢复电荷Qrr
  • 一流的品质因数RDS(on) * Eoss,降低Qg、Ciss和Coss
  • 一流的3V V(GS)th阈值电压和最小的±0.5V V(GS)th阈值电压变化
  • 集成快速体二极管
  • 一流的CoolMOS品质和可靠性
  • 全面优化的产品组合
  • 在通孔(THD)和表面贴装(SMD)封装中具有一流的RDS(on)导通电阻
  • 静电放电(ESD)保护最低达到2类(人体模型HBM)

应用领域

  • 适用于硬开关和软开关拓扑
  • 针对LLC和零电压开关(ZVS)拓扑的使用进行优化
  • 用于照明和工业开关电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)和LLC应用

数据手册PDF