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IQDH29NE2LM5CGATMA1

OptiMOs 5功率晶体管，25 V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 特性：N沟道，逻辑电平。极低的导通电阻RDS(on)。出色的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21标准无卤
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IQDH29NE2LM5CGATMA1
商品编号: C20191640
商品封装: WHTFN-9
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术达到了最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

超快体二极管
650 V击穿电压
同类最佳的RDS(on)
降低开关损耗
RDS(on)随温度变化的依赖性低

应用领域

针对移相全桥（ZVS）和LLC应用进行优化 - 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	25V
	连续漏极电流(Id)	789A
	导通电阻(RDS(on))	0.35mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	278W
	阈值电压(Vgs(th))	2V@1448uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	254nC@10V
	输入电容(Ciss)	17nF
	反向传输电容(Crss)	660pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	7nF