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IQDH35N03LM5CGATMA1
OptiMOs 5功率晶体管，30 V
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- 描述
- 特性：N沟道，逻辑电平。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQDH35N03LM5CGATMA1
- 商品编号
- C20191641
- 商品封装
- WHTFN-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.35mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1460uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 197nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 470pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.3nF |
优惠活动
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