温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IQE013N04LM6CGSCATMA1

N沟道 40V 205A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 特性：针对同步整流进行优化。 N沟道，逻辑电平。极低的导通电阻RDS(on)。出色的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IQE013N04LM6CGSCATMA1
商品编号: C20191645
包装方式: 编带
商品毛重: 0.12875克(g)

商品参数

商品概述

IPDQ60R010S7为低频开关应用提供了卓越的性价比。CoolMOS S7作为高压超结MOSFET，具备极低的导通电阻（RDS(on)），显著提升了能源效率。CoolMOS S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化，是固态继电器、断路器设计以及开关电源（SMPS）和逆变器拓扑中线路整流的理想选择。

商品特性

针对同步整流进行优化
N沟道,逻辑电平
极低导通电阻RDS(on)
卓越的热阻性能
100%雪崩测试
无铅电镀;符合RoHS标准
符合IEC61249 - 2 - 21的无卤要求

应用领域

固态继电器和断路器
高功率/高性能应用中的线路整流，如计算机、电信、不间断电源（UPS）和太阳能

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	205A
	导通电阻(RDS(on))	1.35mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	107W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	25nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	3.8nF
	反向传输电容(Crss)	47pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.2nF