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ISC073N12LM6ATMA1
OptiMOs 6功率晶体管，120 V
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- 描述
- 特性：N- 沟道，逻辑电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行优化。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤。 根据 J-STD-020 为 MSL 1 级
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC073N12LM6ATMA1
- 商品编号
- C20191682
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 86A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 610pF |
商品特性
- N 沟道、逻辑电平
- 极低导通电阻 RDS(on)
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 极低反向恢复电荷（Q_rr）
- 高雪崩能量额定值
- 175℃工作温度
- 针对高频开关和同步整流进行优化
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤
- 根据 J - STD - 020 标准分类为 MSL 1