- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ISZ24DP10LMATMA1
P沟道、低导通电阻、逻辑电平、增强模式的OptiMOs功率晶体管
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ24DP10LMATMA1
- 商品编号
- C20191693
- 商品封装
- PG-TSDSON-8(3.2x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 98pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- P沟道
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低
- 100% 雪崩测试
- 逻辑电平
- 增强型
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤素
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