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ISZ330N12LM6ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISZ330N12LM6ATMA1

OptiMOs 6功率晶体管,120 V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:N-通道,逻辑电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数)。 极低反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行优化。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级分类
商品型号
ISZ330N12LM6ATMA1
商品编号
C20191694
商品封装
TSDSON-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.152克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))33mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@11uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)650pF
反向传输电容(Crss)9.3pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)160pF

商品特性

  • 国际标准封装
  • 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 功率密度高

数据手册PDF