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ISZ810P06LMATMA1
P沟道 60V 19.5A
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- 描述
- 特性：P-Channel。 极低导通电阻 RD S(on)×V₀₅ = 4.5。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ810P06LMATMA1
- 商品编号
- C20191697
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 81mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@724uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- P沟道
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 100%雪崩测试
- 逻辑电平
- 增强型
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准，无卤素
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