KITLGPWRBOM013TOBO1

评估新功率MOSFET解决方案的实施以及比较MOSFET的能力，需要一个功能硬件设置，为不同的器件封装提供可比的布局特性。英飞凌提供了一个易于使用的平台，用于在从单半桥到三相逆变器（电机驱动拓扑）的设置中对功率MOSFET进行初步评估。该平台提供了一种简单的功率MOSFET并联方法，无需在绝缘金属基板（IMS）板上进行焊接工艺。所有必要的连接都通过板载连接器建立。这提供了一种快速验证硬件要求的方法，因为该平台可以替代各种初步测试设计，从而缩短初始设计阶段。模块化平台由不同的板（模块）组成，可用于构建各种功能功率组件。模块化提供了一系列拓扑选项，具有不同的功率处理能力。该概念可以支持基于半桥、全桥或三相拓扑的应用。

• 易于使用的平台，用于初步评估功率MOSFET
• 提供简单的功率MOSFET并联方法，无需焊接
• 所有必要连接通过板载连接器建立
• 可替代各种初步测试设计，缩短初始设计阶段
• 模块化设计，提供多种拓扑选项和功率处理能力
• 支持基于半桥、全桥或三相拓扑的应用
• 功率板采用IMS PCB基半桥子组件，不同版本MOSFET封装可互换
• 提供多个测试点连接器，可使用Rogowski电流探头测量MOSFET漏极电流
• 提供高电流能力的SMD连接器，可使用电缆接头或铜排进行电源连接
• 母板和主母板为高低侧MOSFET提供栅极驱动器
• 主母板连接控制板并提供5V电源线为XMC控制板供电