S25FL128SAGBHVC10
128 Mb/256 Mb FL-S 闪存，SPI 多 I/O，3.0V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S25FL128SAGBHVC10
- 商品编号
- C20191726
- 商品封装
- BGA-24(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 115uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 400us | |
| 块擦除时间(tBE) | 500ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 具备多功能I/O的3.0V CMOS内核
- 带有多I/O的串行外设接口（SPI）
- SPI时钟极性和相位模式0和3
- 双倍数据速率（DDR）选项
- 扩展寻址：24位或32位地址选项
- 串行命令集和引脚布局与S25FL - A、S25FL - K和S25FL - P SPI系列兼容
- 多I/O命令集和引脚布局与S25FL - P SPI系列兼容
- 读取命令：普通、快速、双倍、四倍、快速DDR、双倍DDR和四倍DDR
- 自动启动 - 上电或复位后，在预选地址自动执行普通或四倍读取命令
- 用于配置信息的通用闪存接口（CFI）数据
- 编程（1.5 MBps）
- 256字节或512字节页编程缓冲区选项
- 用于慢时钟系统的四倍输入页编程（QPP）
- 自动ECC - 具有单比特错误纠正功能的内部硬件错误纠正码生成
- 擦除（0.5至0.65 MBps）
- 混合扇区大小选项 - 地址空间顶部或底部有32个4 KB扇区的物理集，其余所有扇区为64 KB，与前代S25FL设备兼容
- 统一扇区选项 - 始终擦除256 KB块，以实现与更高密度和未来设备的软件兼容
- 循环耐久性：100次编程 - 擦除循环
- 数据保留：数据保留时间>20年
- 安全特性：
- 1024字节的OTP阵列
- 块保护：状态寄存器位，用于控制对连续扇区范围的编程或擦除保护
- 硬件和软件控制选项
- 高级扇区保护（ASP）：由引导代码或密码控制的单个扇区保护
- 采用Eclipse架构的65纳米MIRRORBIT技术
- 核心电源电压：2.7 V至3.6 V
- I/O电源电压：1.65 V至3.6 V
- FBGA封装
- 温度范围/等级：-55°C至+125°C
- 封装（均为无铅）：
- WSON 6×8 mm
- BGA - 24 6×8 mm
- 5×5球（FAB024）引脚布局选项
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